IAUS180N04S4N015 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUS180N04S4N015
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1840 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Encapsulados: HSOG-8
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IAUS180N04S4N015 datasheet
iaus180n04s4n015.pdf
IAUS180N04S4N015 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 1.5 m ID 180 A Features PG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement mode Tab AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 8 1 Tab 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking IAUS180N04S4N015 P
iaus165n08s5n029.pdf
IAUS165N08S5N029 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.9 mW ID 165 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 8 175 C operating temperature 1 Tab Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking PG-HSOG-8-1 A08S5N29
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Liste
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