IAUS180N04S4N015 Todos los transistores

 

IAUS180N04S4N015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUS180N04S4N015
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOG-8
 

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IAUS180N04S4N015 Datasheet (PDF)

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IAUS180N04S4N015

IAUS180N04S4N015OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 180 AFeaturesPG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow81 Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche testedType Package MarkingIAUS180N04S4N015 P

 9.1. Size:314K  infineon
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IAUS180N04S4N015

IAUS165N08S5N029OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 2.9mWID 165 AFeatures N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow8 175C operating temperature1 Tab Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingPG-HSOG-8-1 A08S5N29

Otros transistores... BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , BSZ146N10LS5 , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , SPP20N60C3 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 , IMW120R060M1H , IMW120R090M1H , IMW120R140M1H , IMW120R220M1H , IMW120R350M1H , IMW65R027M1H .

 

 
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