Справочник MOSFET. IAUS180N04S4N015

 

IAUS180N04S4N015 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IAUS180N04S4N015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8

 Аналог (замена) для IAUS180N04S4N015

 

 

IAUS180N04S4N015 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:207K  infineon
 iaus180n04s4n015.pdf

IAUS180N04S4N015 IAUS180N04S4N015

IAUS180N04S4N015OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 180 AFeaturesPG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow81 Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche testedType Package MarkingIAUS180N04S4N015 P

 9.1. Size:314K  infineon
 iaus165n08s5n029.pdf

IAUS180N04S4N015 IAUS180N04S4N015

IAUS165N08S5N029OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 2.9mWID 165 AFeatures N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow8 175C operating temperature1 Tab Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingPG-HSOG-8-1 A08S5N29

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top