IAUS180N04S4N015 - аналоги и даташиты транзистора

 

IAUS180N04S4N015 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IAUS180N04S4N015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8
 

 Аналог (замена) для IAUS180N04S4N015

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS180N04S4N015 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:207K  infineon
 iaus180n04s4n015.pdf pdf_icon

IAUS180N04S4N015

IAUS180N04S4N015OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 180 AFeaturesPG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow81 Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche testedType Package MarkingIAUS180N04S4N015 P

 9.1. Size:314K  infineon
 iaus165n08s5n029.pdf pdf_icon

IAUS180N04S4N015

IAUS165N08S5N029OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 2.9mWID 165 AFeatures N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow8 175C operating temperature1 Tab Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingPG-HSOG-8-1 A08S5N29

Другие MOSFET... BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , BSZ146N10LS5 , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , K3569 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 , IMW120R060M1H , IMW120R090M1H , IMW120R140M1H , IMW120R220M1H , IMW120R350M1H , IMW65R027M1H .

History: JMTP4406A | JMTV2305A | IAUC120N04S6N009

 

 
Back to Top

 


 
.