Справочник MOSFET. IAUS180N04S4N015

 

IAUS180N04S4N015 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUS180N04S4N015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS180N04S4N015 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:207K  infineon
 iaus180n04s4n015.pdf pdf_icon

IAUS180N04S4N015

IAUS180N04S4N015OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 180 AFeaturesPG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow81 Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche testedType Package MarkingIAUS180N04S4N015 P

 9.1. Size:314K  infineon
 iaus165n08s5n029.pdf pdf_icon

IAUS180N04S4N015

IAUS165N08S5N029OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 2.9mWID 165 AFeatures N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow8 175C operating temperature1 Tab Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingPG-HSOG-8-1 A08S5N29

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.