IPA126N10NM3S Todos los transistores

 

IPA126N10NM3S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA126N10NM3S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0126 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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IPA126N10NM3S datasheet

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IPA126N10NM3S

IPA126N10NM3S MOSFET PG-TO 220 FP OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 100 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Qualified

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IPA126N10NM3S

IPA126N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 12.6 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 35 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freq

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