IPA126N10NM3S Todos los transistores

 

IPA126N10NM3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA126N10NM3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0126 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de IPA126N10NM3S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPA126N10NM3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  infineon
 ipa126n10nm3s.pdf pdf_icon

IPA126N10NM3S

IPA126N10NM3SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 3 Power-Transistor, 100 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

 4.1. Size:335K  infineon
 ipa126n10n3g.pdf pdf_icon

IPA126N10NM3S

IPA126N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 12.6 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 35 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freq

Otros transistores... IMZA65R072M1H , IPA029N06NM5S , IPA040N06NM5S , IPA040N08NM5S , IPA050N10NM5S , IPA052N08NM5S , IPA060N06NM5S , IPA083N10NM5S , RFP50N06 , IPA320N20NM3S , IPA600N25NM3S , IPA60R060C7 , IPA60R060P7 , IPA60R080P7 , IPA60R099C7 , IPA60R099P7 , IPA60R125CFD7 .

History: LNH045R210 | 2SK3354-S | SRC65R100BS | LNG5N65B

 

 
Back to Top

 


 
.