Справочник MOSFET. IPA126N10NM3S

 

IPA126N10NM3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA126N10NM3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA126N10NM3S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA126N10NM3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  infineon
 ipa126n10nm3s.pdf pdf_icon

IPA126N10NM3S

IPA126N10NM3SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 3 Power-Transistor, 100 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

 4.1. Size:335K  infineon
 ipa126n10n3g.pdf pdf_icon

IPA126N10NM3S

IPA126N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 12.6 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 35 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freq

Другие MOSFET... IMZA65R072M1H , IPA029N06NM5S , IPA040N06NM5S , IPA040N08NM5S , IPA050N10NM5S , IPA052N08NM5S , IPA060N06NM5S , IPA083N10NM5S , SKD502T , IPA320N20NM3S , IPA600N25NM3S , IPA60R060C7 , IPA60R060P7 , IPA60R080P7 , IPA60R099C7 , IPA60R099P7 , IPA60R125CFD7 .

 

 
Back to Top

 


 
.