IPA320N20NM3S Todos los transistores

 

IPA320N20NM3S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA320N20NM3S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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IPA320N20NM3S datasheet

 ..1. Size:1068K  infineon
 ipa320n20nm3s.pdf pdf_icon

IPA320N20NM3S

IPA320N20NM3S MOSFET PG-TO 220 FP OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Qualified

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