IPA320N20NM3S - описание и поиск аналогов

 

IPA320N20NM3S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA320N20NM3S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для IPA320N20NM3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA320N20NM3S даташит

 ..1. Size:1068K  infineon
 ipa320n20nm3s.pdf pdf_icon

IPA320N20NM3S

IPA320N20NM3S MOSFET PG-TO 220 FP OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Qualified

Другие MOSFET... IPA029N06NM5S , IPA040N06NM5S , IPA040N08NM5S , IPA050N10NM5S , IPA052N08NM5S , IPA060N06NM5S , IPA083N10NM5S , IPA126N10NM3S , SI2302 , IPA600N25NM3S , IPA60R060C7 , IPA60R060P7 , IPA60R080P7 , IPA60R099C7 , IPA60R099P7 , IPA60R125CFD7 , IPA60R145CFD7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.