IPA320N20NM3S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPA320N20NM3S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для IPA320N20NM3S
IPA320N20NM3S Datasheet (PDF)
ipa320n20nm3s.pdf

IPA320N20NM3SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified
Другие MOSFET... IPA029N06NM5S , IPA040N06NM5S , IPA040N08NM5S , IPA050N10NM5S , IPA052N08NM5S , IPA060N06NM5S , IPA083N10NM5S , IPA126N10NM3S , 2N60 , IPA600N25NM3S , IPA60R060C7 , IPA60R060P7 , IPA60R080P7 , IPA60R099C7 , IPA60R099P7 , IPA60R125CFD7 , IPA60R145CFD7 .
History: R521 | AP4455GEH-HF | PPMS8N20V3 | JMSH1552PG | HM2N15PR
History: R521 | AP4455GEH-HF | PPMS8N20V3 | JMSH1552PG | HM2N15PR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet