Справочник MOSFET. IPA320N20NM3S

 

IPA320N20NM3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA320N20NM3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA320N20NM3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  infineon
 ipa320n20nm3s.pdf pdf_icon

IPA320N20NM3S

IPA320N20NM3SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK0631JPR | TPV70R190C | PMV65XPEA | ZXMN10A08G | 2SK1442 | VBE16R02 | IRFD014PBF

 

 
Back to Top

 


 
.