IPAW70R950CE Todos los transistores

 

IPAW70R950CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPAW70R950CE

Código: 70S950CE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 68 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 700 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 15.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 5.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 23 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FPWC

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IPAW70R950CE Datasheet (PDF)

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IPAW70R950CE
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IPAW70R950CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

7.1. ipaw70r600ce.pdf Size:994K _infineon

IPAW70R950CE
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IPAW70R600CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

 

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