IPAW70R950CE Todos los transistores

 

IPAW70R950CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPAW70R950CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FPWC
 

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IPAW70R950CE Datasheet (PDF)

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IPAW70R950CE

IPAW70R950CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

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IPAW70R950CE

IPAW70R600CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

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History: OSG65R040HT3F | AP4604P

 

 
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