IPAW70R950CE - аналоги и даташиты транзистора

 

IPAW70R950CE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPAW70R950CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220FPWC
 

 Аналог (замена) для IPAW70R950CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPAW70R950CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:949K  infineon
 ipaw70r950ce.pdf pdf_icon

IPAW70R950CE

IPAW70R950CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

 7.1. Size:994K  infineon
 ipaw70r600ce.pdf pdf_icon

IPAW70R950CE

IPAW70R600CEMOSFETPG - TO220 FullPAK WideCreepage700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting market

Другие MOSFET... IPAW60R180P7S , IPAW60R190CE , IPAW60R280CE , IPAW60R280P7S , IPAW60R380CE , IPAW60R600CE , IPAW60R600P7S , IPAW70R600CE , IRFB4227 , IPB017N10N5LF , IPB019N08N5 , IPB024N10N5 , IPB032N10N5 , IPB060N15N5 , IPB110P06LM , IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 .

History: SIHP6N40D

 

 
Back to Top

 


 
.