IPAW70R950CE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPAW70R950CE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220FPWC

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPAW70R950CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPAW70R950CE даташит

 ..1. Size:949K  infineon
 ipaw70r950ce.pdf pdf_icon

IPAW70R950CE

IPAW70R950CE MOSFET PG - TO220 FullPAK WideCreepage 700V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting market

 7.1. Size:994K  infineon
 ipaw70r600ce.pdf pdf_icon

IPAW70R950CE

IPAW70R600CE MOSFET PG - TO220 FullPAK WideCreepage 700V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting market

Другие IGBT... IPAW60R180P7S, IPAW60R190CE, IPAW60R280CE, IPAW60R280P7S, IPAW60R380CE, IPAW60R600CE, IPAW60R600P7S, IPAW70R600CE, IRF3710, IPB017N10N5LF, IPB019N08N5, IPB024N10N5, IPB032N10N5, IPB060N15N5, IPB110P06LM, IPB120N03S4L-03, IPB120N04S4-04