IPB019N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB019N08N5
Código: 019N08N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 224 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 80 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
Carga de compuerta (Qg): 99 nC
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00195 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB019N08N5
IPB019N08N5 Datasheet (PDF)
0.1. ipb019n08n5.pdf 
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IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual
4.1. ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf Size:689K _infineon
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6.1. ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf Size:541K _infineon
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6.2. ipb019n06l3.pdf Size:252K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
