IPB019N08N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB019N08N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 224 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de IPB019N08N5 MOSFET
IPB019N08N5 datasheet
ipb019n08n5.pdf
IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual
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ipb019n06l3.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI
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Liste
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