IPB019N08N5 Todos los transistores

 

IPB019N08N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB019N08N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 224 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7
 

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IPB019N08N5 datasheet

 ..1. Size:1072K  infineon
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IPB019N08N5

IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 4.1. Size:689K  infineon
ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

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 6.1. Size:541K  infineon
ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

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 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
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IPB019N08N5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

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