IPB019N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB019N08N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 224 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de IPB019N08N5 MOSFET
IPB019N08N5 Datasheet (PDF)
ipb019n08n5.pdf

IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual
ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf

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ipb019n06l3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
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History: OM6101ST | VBM165R18 | IRF7811AVPBF-1 | IRHMS57264SE | APT22F120L | GSM4822S | P0903BK
History: OM6101ST | VBM165R18 | IRF7811AVPBF-1 | IRHMS57264SE | APT22F120L | GSM4822S | P0903BK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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