Справочник MOSFET. IPB019N08N5

 

IPB019N08N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB019N08N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 224 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB019N08N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB019N08N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  infineon
ipb019n08n5.pdfpdf_icon

IPB019N08N5

IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 4.1. Size:689K  infineon
ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdfpdf_icon

IPB019N08N5

# ! ! D #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?C 1 DQ H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 +D n) e #) ' ' !Q ,E@5B9?B D85B=135Q ' 381>>5?B=1

 6.1. Size:541K  infineon
ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdfpdf_icon

IPB019N08N5

pe % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 DR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?D

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
ipb019n06l3.pdfpdf_icon

IPB019N08N5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... IPAW60R280CE , IPAW60R280P7S , IPAW60R380CE , IPAW60R600CE , IPAW60R600P7S , IPAW70R600CE , IPAW70R950CE , IPB017N10N5LF , IRFP250N , IPB024N10N5 , IPB032N10N5 , IPB060N15N5 , IPB110P06LM , IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 , IPB120N08S4-03 .

 

 
Back to Top

 


 
.