IPB019N08N5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPB019N08N5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 224 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPB019N08N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB019N08N5 даташит

 ..1. Size:1072K  infineon
 ipb019n08n5.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 4.1. Size:689K  infineon
 ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

# ! ! D # A03 B53 1 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?C 1 D Q H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 + D n) e #) ' ' ! Q ,E@5B9?B D85B=135 Q ' 381>>5?B=1

 6.1. Size:541K  infineon
 ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

pe % # ! F % (>.;?6?@ %>E Features D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m x R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 D R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 , D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @?D

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ipb019n06l3.pdf pdf_icon

IPB019N08N5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPAW60R280CE, IPAW60R280P7S, IPAW60R380CE, IPAW60R600CE, IPAW60R600P7S, IPAW70R600CE, IPAW70R950CE, IPB017N10N5LF, IRFB4115, IPB024N10N5, IPB032N10N5, IPB060N15N5, IPB110P06LM, IPB120N03S4L-03, IPB120N04S4-04, IPB120N04S4L-02, IPB120N08S4-03