STD17N05T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD17N05T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD17N05T4 datasheet
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf
STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf
STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V
std17n05l std17n06l.pdf
STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V
std17n05.pdf
STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V
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History: STK2N80
History: STK2N80
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