STD17N05T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD17N05T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD17N05T4
STD17N05T4 Datasheet (PDF)
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V
std17n05l std17n06l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V
std17n05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .