IPB17N25S3-100 Todos los transistores

 

IPB17N25S3-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB17N25S3-100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IPB17N25S3-100 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPB17N25S3-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  infineon
 ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf pdf_icon

IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100IPP17N25S3-100OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 250 VRDS(on),max 100mID 17 AFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Otros transistores... IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 , IPB120N08S4-03 , IPB120N08S4-04 , IPB120P04P4-04 , IPB140N08S4-04 , IPB160N04S4L-H1 , IRF4905 , AUIRF1324L , AUIRF7734M2TR , AUIRF7749L2TR , AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR .

 

 
Back to Top

 


 
.