Справочник MOSFET. IPB17N25S3-100

 

IPB17N25S3-100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPB17N25S3-100

Маркировка: 3N25100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 14 nC

Время нарастания (tr): 3.7 ns

Выходная емкость (Cd): 480 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB17N25S3-100

 

 

IPB17N25S3-100 Datasheet (PDF)

0.1. ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf Size:203K _infineon

IPB17N25S3-100
IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100IPP17N25S3-100OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 250 VRDS(on),max 100mID 17 AFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top