Справочник MOSFET. IPB17N25S3-100

 

IPB17N25S3-100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB17N25S3-100
   Маркировка: 3N25100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB17N25S3-100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB17N25S3-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  infineon
 ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf pdf_icon

IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100IPP17N25S3-100OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 250 VRDS(on),max 100mID 17 AFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Другие MOSFET... IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 , IPB120N08S4-03 , IPB120N08S4-04 , IPB120P04P4-04 , IPB140N08S4-04 , IPB160N04S4L-H1 , IRF4905 , AUIRF1324L , AUIRF7734M2TR , AUIRF7749L2TR , AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.