Справочник MOSFET. IPB17N25S3-100

 

IPB17N25S3-100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB17N25S3-100
   Маркировка: 3N25100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB17N25S3-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  infineon
 ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf pdf_icon

IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100IPP17N25S3-100OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 250 VRDS(on),max 100mID 17 AFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI4856DY

 

 
Back to Top

 


 
.