IPB17N25S3-100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPB17N25S3-100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPB17N25S3-100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB17N25S3-100 даташит

 ..1. Size:203K  infineon
 ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf pdf_icon

IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100 IPP17N25S3-100 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary VDS 250 V RDS(on),max 100 m ID 17 A Features PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Другие IGBT... IPB120N03S4L-03, IPB120N04S4-04, IPB120N04S4L-02, IPB120N08S4-03, IPB120N08S4-04, IPB120P04P4-04, IPB140N08S4-04, IPB160N04S4L-H1, IRFP064N, AUIRF1324L, AUIRF7734M2TR, AUIRF7749L2TR, AUIRF7759L2TR, AUIRF7769L2TR, AUIRF7799L2TR, AUIRF8736M2TR, AUIRF8739L2TR