BF999 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF999
Código: LB_LBs_LDs
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 71 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF999
BF999 Datasheet (PDF)
bf999.pdf
Silicon N Channel MOSFET Triode BF 999 For high-frequency stages up to 300 MHz,preferably in FM applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 999 LB Q62702-F1132 G D S SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain-source voltage VDS 20 VDrain current ID 30 mAGate-source peak current IGSM 10Total power dissipation, TA
bf999.pdf
BF999Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz23 preferably in FM applications1 Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBF999 LBs 1=G 2=D 3=S - - - SOT23Maximum RatingsParameter Symbol Value Unit
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
