BF999 Todos los transistores

 

BF999 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF999
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 71 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BF999 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  siemens
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BF999

Silicon N Channel MOSFET Triode BF 999 For high-frequency stages up to 300 MHz,preferably in FM applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 999 LB Q62702-F1132 G D S SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain-source voltage VDS 20 VDrain current ID 30 mAGate-source peak current IGSM 10Total power dissipation, TA

 ..2. Size:60K  infineon
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BF999

BF999Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz23 preferably in FM applications1 Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBF999 LBs 1=G 2=D 3=S - - - SOT23Maximum RatingsParameter Symbol Value Unit

Otros transistores... AUIRF7734M2TR , AUIRF7749L2TR , AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR , AUIRFSA8409-7P , RFP50N06 , BSC012N06NS , BSC025N08LS5 , BSC027N10NS5 , BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI .

History: TPC8121 | FHP120N08D

 

 
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