BF999 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF999
Маркировка: LB_LBs_LDs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 71 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BF999 Datasheet (PDF)
bf999.pdf
Silicon N Channel MOSFET Triode BF 999 For high-frequency stages up to 300 MHz,preferably in FM applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 999 LB Q62702-F1132 G D S SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain-source voltage VDS 20 VDrain current ID 30 mAGate-source peak current IGSM 10Total power dissipation, TA
bf999.pdf
BF999Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz23 preferably in FM applications1 Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBF999 LBs 1=G 2=D 3=S - - - SOT23Maximum RatingsParameter Symbol Value Unit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
