BSZ068N06NS Todos los transistores

 

BSZ068N06NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ068N06NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8
 

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BSZ068N06NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  infineon
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BSZ068N06NS

TypeBSZ068N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 6.8 mW Superior thermal resistanceID 40 A N-channelQOSS nC 19 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 17 Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TSD

 9.1. Size:657K  infineon
bsz065n03ls.pdf pdf_icon

BSZ068N06NS

For BSZ065N03LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA)RDS(on),max VGS=10 V 6.5 mW Very low FOMQOSS for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 8.6 Low FOMSW for High Frequency SMPSID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V PG-TSDSON-8 (fu

 9.2. Size:455K  infineon
bsz067n06ls3 bsz067n06ls3g.pdf pdf_icon

BSZ068N06NS

%* ! % TM #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@9 9 -=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 7m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DR

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bsz063n04ls6.pdf pdf_icon

BSZ068N06NS

BSZ063N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accord

Otros transistores... BSC012N06NS , BSC025N08LS5 , BSC027N10NS5 , BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , IRFP250 , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 .

History: AO6801E | RU1HL8L | P3606HK | NVMFS5C646NL | CTD06N017 | HM18N40F | SL2P03F

 

 
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