BSZ215CH Todos los transistores

 

BSZ215CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ215CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8
 

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BSZ215CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  infineon
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BSZ215CH

BSZ215C HOptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-

Otros transistores... BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , IRFP450 , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 .

History: WMN36N65C4 | SWU12N70D | AP3310GH | MTE65N20H8 | ITP09N50A | SWD7N65DD | BSP030

 

 
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