Справочник MOSFET. BSZ215CH

 

BSZ215CH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ215CH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSZ215CH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ215CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  infineon
 bsz215ch.pdf pdf_icon

BSZ215CH

BSZ215C HOptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-

Другие MOSFET... BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , P60NF06 , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 .

History: 2SK3710

 

 
Back to Top

 


 
.