DF11MR12W1M1PB11 Todos los transistores

 

DF11MR12W1M1PB11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF11MR12W1M1PB11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF11MR12W1M1PB11 Datasheet (PDF)

 1.1. Size:512K  infineon
 df11mr12w1m1p b11.pdf pdf_icon

DF11MR12W1M1PB11

DF11MR12W1M1P_B11EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC / TIMEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIMVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VDSSI = 50A / I = 100AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features

Otros transistores... BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , 18N50 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 .

History: CTM18N20 | RU30S4H | SVF10N65F | BSC030P03NS3G | AP9467AGH | 4N60G-TM3-T

 

 
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