DF11MR12W1M1PB11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DF11MR12W1M1PB11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.55 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 124 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DF11MR12W1M1PB11

DF11MR12W1M1PB11 Datasheet (PDF)

1.1. Size:512K infineon
df11mr12w1m1p b11.pdf

DF11MR12W1M1P_B11EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC / TIMEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIMVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VDSSI = 50A / I = 100AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: