Справочник MOSFET. DF11MR12W1M1PB11

 

DF11MR12W1M1PB11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DF11MR12W1M1PB11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 124 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF11MR12W1M1PB11

 

 

DF11MR12W1M1PB11 Datasheet (PDF)

 1.1. Size:512K  infineon
 df11mr12w1m1p b11.pdf

DF11MR12W1M1PB11 DF11MR12W1M1PB11

DF11MR12W1M1P_B11EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC / TIMEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIMVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VDSSI = 50A / I = 100AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top