DF11MR12W1M1PB11 - описание и поиск аналогов

DF11MR12W1M1PB11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DF11MR12W1M1PB11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: MODULE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам