F3L15MR12W2M1B69 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: F3L15MR12W2M1B69
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.55 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 186 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET F3L15MR12W2M1B69

F3L15MR12W2M1B69 Datasheet (PDF)

1.1. Size:547K infineon
f3l15mr12w2m1 b69.pdf

F3L15MR12W2M1_B69EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTCEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataJV = 1200VDSSI = 75A / I = 150AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler

9.1. Size:1463K infineon
f3l15r12w2h3-b27.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L15R12W2H3_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 15A / I = 30AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

9.2. Size:777K infineon
f3l150r07w2e3 b11.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

9.3. Size:1158K infineon
f3l150r12w2h3 b11.pdf

/ Technical InformationIGBT-F3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM

9.4. Size:830K infineon
f3l150r07w2e3-b11.pdf

9.5. Size:1630K infineon
f3l15r12w2h3 b27.pdf

/ Technical InformationIGBT-F3L15R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low inductive design Lo

9.6. Size:996K infineon
f3l150r12w2h3-b11.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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