F3L15MR12W2M1B69 Todos los transistores

 

F3L15MR12W2M1B69 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L15MR12W2M1B69
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de F3L15MR12W2M1B69 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F3L15MR12W2M1B69 Datasheet (PDF)

 1.1. Size:547K  infineon
 f3l15mr12w2m1 b69.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

F3L15MR12W2M1_B69EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTCEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataJV = 1200VDSSI = 75A / I = 150AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler

 9.1. Size:1463K  infineon
 f3l15r12w2h3-b27.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L15R12W2H3_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 15A / I = 30AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

 9.2. Size:777K  infineon
 f3l150r07w2e3 b11.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

 9.3. Size:1158K  infineon
 f3l150r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

/ Technical InformationIGBT-F3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , STF13NM60N , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 .

History: UTC654 | IPB015N08N5 | SVF13N50S

 

 
Back to Top

 


 
.