F3L15MR12W2M1B69 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L15MR12W2M1B69
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: MODULE
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F3L15MR12W2M1B69 datasheet
f3l15mr12w2m1 b69.pdf
F3L15MR12W2M1_B69 EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data J V = 1200V DSS I = 75A / I = 150A D nom DRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler
f3l15r12w2h3-b27.pdf
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f3l150r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
f3l150r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM
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History: RUF025N02 | SUD23N06-31
History: RUF025N02 | SUD23N06-31
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