F3L15MR12W2M1B69 - описание и поиск аналогов

 

F3L15MR12W2M1B69. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F3L15MR12W2M1B69

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для F3L15MR12W2M1B69

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F3L15MR12W2M1B69 даташит

 1.1. Size:547K  infineon
 f3l15mr12w2m1 b69.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

F3L15MR12W2M1_B69 EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data J V = 1200V DSS I = 75A / I = 150A D nom DRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler

 9.1. Size:1463K  infineon
 f3l15r12w2h3-b27.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L15R12W2H3_B27 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 15A / I = 30A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

 9.2. Size:777K  infineon
 f3l150r07w2e3 b11.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typic

 9.3. Size:1158K  infineon
 f3l150r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L15MR12W2M1B69

/ Technical Information IGBT- F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , IRFP250 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.