FF45MR12W1M1B11 Todos los transistores

 

FF45MR12W1M1B11 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF45MR12W1M1B11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: MODULE

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FF45MR12W1M1B11 datasheet

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FF45MR12W1M1B11

FF45MR12W1M1_B11 EasyDUAL Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data J V = 1200V DSS I = 25A / I = 50A D nom DRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler DC/DC c

Otros transistores... BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , IRF1407 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 , IAUC100N04S6N022 .

History: RUF025N02 | SUD23N06-31

 

 

 


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