FF45MR12W1M1B11 Todos los transistores

 

FF45MR12W1M1B11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF45MR12W1M1B11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.55 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FF45MR12W1M1B11 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:434K  infineon
ff45mr12w1m1 b11.pdf pdf_icon

FF45MR12W1M1B11

FF45MR12W1M1_B11EasyDUAL Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTCEasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataJV = 1200VDSSI = 25A / I = 50AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler DC/DC c

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


FF45MR12W1M1B11
  FF45MR12W1M1B11
  FF45MR12W1M1B11
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n

 


 
.