FF45MR12W1M1B11 - описание и поиск аналогов

 

FF45MR12W1M1B11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FF45MR12W1M1B11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для FF45MR12W1M1B11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FF45MR12W1M1B11 даташит

 2.1. Size:434K  infineon
 ff45mr12w1m1 b11.pdf pdf_icon

FF45MR12W1M1B11

FF45MR12W1M1_B11 EasyDUAL Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data J V = 1200V DSS I = 25A / I = 50A D nom DRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler DC/DC c

Другие MOSFET... BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , IRF1407 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 , IAUC100N04S6N022 .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.