Справочник MOSFET. FF45MR12W1M1B11

 

FF45MR12W1M1B11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FF45MR12W1M1B11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.55 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
   Время нарастания (tr): 6.3 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FF45MR12W1M1B11

 

 

FF45MR12W1M1B11 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:434K  infineon
 ff45mr12w1m1 b11.pdf

FF45MR12W1M1B11 FF45MR12W1M1B11

FF45MR12W1M1_B11EasyDUAL Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTCEasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataJV = 1200VDSSI = 25A / I = 50AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching application DC/DC Wandler DC/DC c

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top