IAUA200N04S5N010 Todos los transistores

 

IAUA200N04S5N010 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUA200N04S5N010

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: HSOF-5

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IAUA200N04S5N010 datasheet

 0.1. Size:671K  infineon
 iaua200n04s5n010.pdf pdf_icon

IAUA200N04S5N010

IAUA200N04S5N010 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1 mW ID 200 A Features PG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1 2

Otros transistores... BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , 5N60 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 , IAUC100N04S6N022 , IAUC100N04S6N028 , IAUC100N08S5N043 , IAUC100N10S5L040 .

History: SUD25N15-52 | JCS10N65CT | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T

 

 

 

 

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