IAUA200N04S5N010 - описание и поиск аналогов

 

IAUA200N04S5N010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUA200N04S5N010

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: HSOF-5

Аналог (замена) для IAUA200N04S5N010

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUA200N04S5N010 даташит

 0.1. Size:671K  infineon
 iaua200n04s5n010.pdf pdf_icon

IAUA200N04S5N010

IAUA200N04S5N010 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1 mW ID 200 A Features PG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1 2

Другие MOSFET... BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , 5N60 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 , IAUC100N04S6N022 , IAUC100N04S6N028 , IAUC100N08S5N043 , IAUC100N10S5L040 .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.