IAUC28N08S5L230 Todos los transistores

 

IAUC28N08S5L230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC28N08S5L230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IAUC28N08S5L230

 

IAUC28N08S5L230 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:881K  infineon
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IAUC28N08S5L230
IAUC28N08S5L230

IAUC28N08S5L230OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VFeaturesRDS(on) 23mW OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsID 28 A N-channel - Enhancement mode - Logic Level MSL1 up to 260C peak reflowPG-TDSON-8 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1Quality Features Infineon Au

 9.1. Size:783K  infineon
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IAUC28N08S5L230
IAUC28N08S5L230

IAUC24N10S5L300OptiMOSTM-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 30mWID 24 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 Green product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspe

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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