Справочник MOSFET. IAUC28N08S5L230

 

IAUC28N08S5L230 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC28N08S5L230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
 

 Аналог (замена) для IAUC28N08S5L230

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC28N08S5L230 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:881K  infineon
 iauc28n08s5l230.pdf pdf_icon

IAUC28N08S5L230

IAUC28N08S5L230OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VFeaturesRDS(on) 23mW OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsID 28 A N-channel - Enhancement mode - Logic Level MSL1 up to 260C peak reflowPG-TDSON-8 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1Quality Features Infineon Au

 9.1. Size:783K  infineon
 iauc24n10s5l300.pdf pdf_icon

IAUC28N08S5L230

IAUC24N10S5L300OptiMOSTM-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 30mWID 24 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 Green product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspe

Другие MOSFET... IAUC100N04S6N028 , IAUC100N08S5N043 , IAUC100N10S5L040 , IAUC120N04S6L009 , IAUC120N04S6L012 , IAUC120N04S6N010 , IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , RU6888R , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 .

History: AOTF11S60 | PJP7NA65 | PJU1NA60 | SQ4532AEY | AOTF12T50P | JCS2N95RA

 

 
Back to Top

 


 
.