IAUC60N04S6L039 Todos los transistores

 

IAUC60N04S6L039 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUC60N04S6L039

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00402 Ohm

Encapsulados: TDSON-8

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IAUC60N04S6L039 datasheet

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IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6L039 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.0 mW ID 60 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:666K  infineon
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IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6N044 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.5 mW ID 60 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Otros transistores... IAUC100N08S5N043 , IAUC100N10S5L040 , IAUC120N04S6L009 , IAUC120N04S6L012 , IAUC120N04S6N010 , IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IRFB31N20D , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 .

History: MEE4298-G | SK50N06A | BF256B | HD830U | SUD50P04-13L | IAUC120N04S6L012 | MEE7298-G

 

 

 

 

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