IAUC60N04S6L039 Todos los transistores

 

IAUC60N04S6L039 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC60N04S6L039
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00402 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

IAUC60N04S6L039 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc60n04s6l039.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6L039OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.0mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:666K  infineon
 iauc60n04s6n044.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6N044OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.5mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1005 | APT42F50B | KF9N25P | KDB2670 | VBZM80N04 | IRF7389PBF | KP980A

 

 
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