Справочник MOSFET. IAUC60N04S6L039

 

IAUC60N04S6L039 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC60N04S6L039
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00402 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
 

 Аналог (замена) для IAUC60N04S6L039

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC60N04S6L039 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc60n04s6l039.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6L039OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.0mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:666K  infineon
 iauc60n04s6n044.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6N044OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.5mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Другие MOSFET... IAUC100N08S5N043 , IAUC100N10S5L040 , IAUC120N04S6L009 , IAUC120N04S6L012 , IAUC120N04S6N010 , IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IRF730 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 .

 

 
Back to Top

 


 
.