Справочник MOSFET. IAUC60N04S6L039

 

IAUC60N04S6L039 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC60N04S6L039
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00402 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC60N04S6L039 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc60n04s6l039.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6L039OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.0mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:666K  infineon
 iauc60n04s6n044.pdf pdf_icon

IAUC60N04S6L039

IAUC60N04S6N044OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 4.5mWID 60 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MMFT60R195PTH | SIHG47N60S | TK12J55D | HGI110N08AL | STD13NM60ND | UTT75N08 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.