IAUC80N04S6N036 Todos los transistores

 

IAUC80N04S6N036 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC80N04S6N036
   Código: 6N04N036
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 326 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00368 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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IAUC80N04S6N036 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
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IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6N036OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.6mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6l032.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6L032OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.2mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

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