Справочник MOSFET. IAUC80N04S6N036

 

IAUC80N04S6N036 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC80N04S6N036
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 326 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00368 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC80N04S6N036 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6n036.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6N036OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.6mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6l032.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6L032OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.2mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MME80R290PRH | JCS5N50CT | AFN12N60T220T | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.