IAUC80N04S6N036 - аналоги и даташиты транзистора

 

IAUC80N04S6N036 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IAUC80N04S6N036
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 326 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00368 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
 

 Аналог (замена) для IAUC80N04S6N036

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC80N04S6N036 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6n036.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6N036OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.6mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6l032.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6L032OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.2mWID 80 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Другие MOSFET... IAUC120N04S6N010 , IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , 60N06 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 .

History: 2SK258 | 2SK3847B

 

 
Back to Top

 


 
.