IAUC80N04S6N036 - описание и поиск аналогов

 

IAUC80N04S6N036. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUC80N04S6N036

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 326 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00368 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8

Аналог (замена) для IAUC80N04S6N036

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC80N04S6N036 даташит

 0.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6n036.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6N036 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.6 mW ID 80 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:665K  infineon
 iauc80n04s6l032.pdf pdf_icon

IAUC80N04S6N036

IAUC80N04S6L032 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.2 mW ID 80 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

Другие MOSFET... IAUC120N04S6N010 , IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IRFZ48N , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 .

History: SMG1330N | ME80N75T-G | JMSL0315AP | HP20N50 | SMD7N65 | SUD50P04-15

 

 

 

 

↑ Back to Top
.