IAUS165N08S5N029 Todos los transistores

 

IAUS165N08S5N029 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUS165N08S5N029

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: HSOG-8-1

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IAUS165N08S5N029 datasheet

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IAUS165N08S5N029

IAUS165N08S5N029 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.9 mW ID 165 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 8 175 C operating temperature 1 Tab Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking PG-HSOG-8-1 A08S5N29

 9.1. Size:207K  infineon
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IAUS165N08S5N029

IAUS180N04S4N015 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 1.5 m ID 180 A Features PG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement mode Tab AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 8 1 Tab 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking IAUS180N04S4N015 P

Otros transistores... IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IRF830 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 .

History: DG4N65-TO262 | 10N12

 

 

 

 

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