Справочник MOSFET. IAUS165N08S5N029

 

IAUS165N08S5N029 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUS165N08S5N029
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8-1
 

 Аналог (замена) для IAUS165N08S5N029

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS165N08S5N029 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:314K  infineon
 iaus165n08s5n029.pdf pdf_icon

IAUS165N08S5N029

IAUS165N08S5N029OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 2.9mWID 165 AFeatures N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow8 175C operating temperature1 Tab Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on)8 100% Avalanche testedType Package MarkingPG-HSOG-8-1 A08S5N29

 9.1. Size:207K  infineon
 iaus180n04s4n015.pdf pdf_icon

IAUS165N08S5N029

IAUS180N04S4N015OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 180 AFeaturesPG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement modeTab AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow81 Tab 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche testedType Package MarkingIAUS180N04S4N015 P

Другие MOSFET... IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IRF1405 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 .

History: RUC002N05 | BRCS120P04YB | CHM8958JGP | AUIRFR2407 | UM6K31N | CSD23381F4 | CJD04N65A

 

 
Back to Top

 


 
.