IAUS165N08S5N029 - описание и поиск аналогов

 

IAUS165N08S5N029. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUS165N08S5N029

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: HSOG-8-1

Аналог (замена) для IAUS165N08S5N029

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS165N08S5N029 даташит

 0.1. Size:314K  infineon
 iaus165n08s5n029.pdf pdf_icon

IAUS165N08S5N029

IAUS165N08S5N029 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.9 mW ID 165 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 8 175 C operating temperature 1 Tab Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking PG-HSOG-8-1 A08S5N29

 9.1. Size:207K  infineon
 iaus180n04s4n015.pdf pdf_icon

IAUS165N08S5N029

IAUS180N04S4N015 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 1.5 m ID 180 A Features PG-HSOG-8-1 N-channel - Enhancement mode Tab AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 8 1 Tab 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 Ultra low Rds(on) 8 100% Avalanche tested Type Package Marking IAUS180N04S4N015 P

Другие MOSFET... IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IRF830 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 .

History: HP20N50 | SMG1330N | ME80N75T-G | SMD7N65 | ME8107-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.