IAUS200N08S5N023 Todos los transistores

 

IAUS200N08S5N023 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUS200N08S5N023
   Código: A08S5N23
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOG-8-1
 

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IAUS200N08S5N023 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:380K  infineon
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IAUS200N08S5N023

IAUS200N08S5N023OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 2.3 mW ID 200 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pin

 9.1. Size:382K  infineon
 iaus240n08s5n019.pdf pdf_icon

IAUS200N08S5N023

IAUS240N08S5N019OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 1.9 mW ID 240 A Features N-channel - Enhancement modePG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pi

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History: SQJA86EP

 

 
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