IAUS200N08S5N023 Todos los transistores

 

IAUS200N08S5N023 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUS200N08S5N023

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm

Encapsulados: HSOG-8-1

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IAUS200N08S5N023 datasheet

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IAUS200N08S5N023

IAUS200N08S5N023 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.3 mW ID 200 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pin

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IAUS200N08S5N023

IAUS240N08S5N019 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 1.9 mW ID 240 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pi

Otros transistores... IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IRLB3034 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 .

History: IAUC90N10S5N062 | MEE4294K-G | MEE4294P-G

 

 

 

 

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