Справочник MOSFET. IAUS200N08S5N023

 

IAUS200N08S5N023 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IAUS200N08S5N023
   Маркировка: A08S5N23
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8-1

 Аналог (замена) для IAUS200N08S5N023

 

 

IAUS200N08S5N023 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:380K  infineon
 iaus200n08s5n023.pdf

IAUS200N08S5N023 IAUS200N08S5N023

IAUS200N08S5N023OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 2.3 mW ID 200 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pin

 9.1. Size:382K  infineon
 iaus240n08s5n019.pdf

IAUS200N08S5N023 IAUS200N08S5N023

IAUS240N08S5N019OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 1.9 mW ID 240 A Features N-channel - Enhancement modePG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top