IAUS200N08S5N023 - описание и поиск аналогов

 

IAUS200N08S5N023. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUS200N08S5N023

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: HSOG-8-1

Аналог (замена) для IAUS200N08S5N023

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS200N08S5N023 даташит

 0.1. Size:380K  infineon
 iaus200n08s5n023.pdf pdf_icon

IAUS200N08S5N023

IAUS200N08S5N023 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.3 mW ID 200 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pin

 9.1. Size:382K  infineon
 iaus240n08s5n019.pdf pdf_icon

IAUS200N08S5N023

IAUS240N08S5N019 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 1.9 mW ID 240 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pi

Другие MOSFET... IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IRLB3034 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 .

History: ME80N75T-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.