IAUS300N08S5N014 Todos los transistores

 

IAUS300N08S5N014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUS300N08S5N014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1626 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOG-8-1
 

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IAUS300N08S5N014 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:380K  infineon
 iaus300n08s5n014.pdf pdf_icon

IAUS300N08S5N014

IAUS300N08S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 1.4 mW ID 300 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pi

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History: STW25N60M2-EP | SSF65R190S3 | BUZ231 | VS6018AS | 2SK3033 | AOD422 | BUZ357

 

 
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