Справочник MOSFET. IAUS300N08S5N014

 

IAUS300N08S5N014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUS300N08S5N014
   Маркировка: A08S5N14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 144 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1626 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: HSOG-8-1
 

 Аналог (замена) для IAUS300N08S5N014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS300N08S5N014 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:380K  infineon
 iaus300n08s5n014.pdf pdf_icon

IAUS300N08S5N014

IAUS300N08S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 1.4 mW ID 300 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pi

Другие MOSFET... IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , 8N60 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S .

History: 2SK1158 | DHP150N03 | STT3418 | DHS015N06E | AP18T10GH | IAUC100N10S5L040 | US5U1

 

 
Back to Top

 


 
.