IAUS300N08S5N014 - описание и поиск аналогов

 

IAUS300N08S5N014. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUS300N08S5N014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1626 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: HSOG-8-1

Аналог (замена) для IAUS300N08S5N014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUS300N08S5N014 даташит

 0.1. Size:380K  infineon
 iaus300n08s5n014.pdf pdf_icon

IAUS300N08S5N014

IAUS300N08S5N014 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 1.4 mW ID 300 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pi

Другие MOSFET... IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IRFB7545 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.