IAUS300N08S5N014 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IAUS300N08S5N014
Маркировка: A08S5N14
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 144 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1626 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: HSOG-8-1
Аналог (замена) для IAUS300N08S5N014
IAUS300N08S5N014 Datasheet (PDF)
iaus300n08s5n014.pdf
IAUS300N08S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 80 V RDS(on) 1.4 mW ID 300 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualifiedTab MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on)1 Drain 100% Avalanche testedTabGateType Package Marking pi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918