IGLD60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGLD60R070D1
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: LSON-8-1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IGLD60R070D1
IGLD60R070D1 Datasheet (PDF)
igld60r070d1.pdf
IGLD60R070D1IGLD60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge GSK Capable of reverse conduction SS Low gate charge, low output charge DD Superior commutation ruggedness DD Qualified for industrial applications accor
igld60r190d1.pdf
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Liste
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