Справочник MOSFET. IGLD60R070D1

 

IGLD60R070D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGLD60R070D1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: LSON-8-1
 

 Аналог (замена) для IGLD60R070D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGLD60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  infineon
 igld60r070d1.pdf pdf_icon

IGLD60R070D1

IGLD60R070D1IGLD60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge GSK Capable of reverse conduction SS Low gate charge, low output charge DD Superior commutation ruggedness DD Qualified for industrial applications accor

 7.1. Size:494K  infineon
 igld60r190d1.pdf pdf_icon

IGLD60R070D1

IGLD60R190D1IGLD60R190D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge GSK Capable of reverse conduction SS Low gate charge, low output charge DD Superior commutation ruggedness DD Qualified for industrial applications accor

Другие MOSFET... IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IRF9640 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S .

History: RU30E60M2 | NCE50NF330D | AP60SL650AFI

 

 
Back to Top

 


 
.