Справочник MOSFET. IGLD60R070D1

 

IGLD60R070D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGLD60R070D1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: LSON-8-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IGLD60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  infineon
 igld60r070d1.pdf pdf_icon

IGLD60R070D1

IGLD60R070D1IGLD60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge GSK Capable of reverse conduction SS Low gate charge, low output charge DD Superior commutation ruggedness DD Qualified for industrial applications accor

 7.1. Size:494K  infineon
 igld60r190d1.pdf pdf_icon

IGLD60R070D1

IGLD60R190D1IGLD60R190D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge GSK Capable of reverse conduction SS Low gate charge, low output charge DD Superior commutation ruggedness DD Qualified for industrial applications accor

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FX50KMJ-03 | SQJ460AEP | SL60N10Q | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.