IGLD60R190D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGLD60R190D1
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: LSON-8-1
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IGLD60R190D1 datasheet
igld60r190d1.pdf
IGLD60R190D1 IGLD60R190D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction S S Low gate charge, low output charge D D Superior commutation ruggedness D D Qualified for industrial applications accor
igld60r070d1.pdf
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