IGLD60R190D1 - описание и поиск аналогов

 

IGLD60R190D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IGLD60R190D1

Тип транзистора: GaN

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: LSON-8-1

Аналог (замена) для IGLD60R190D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGLD60R190D1 даташит

 ..1. Size:494K  infineon
 igld60r190d1.pdf pdf_icon

IGLD60R190D1

IGLD60R190D1 IGLD60R190D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction S S Low gate charge, low output charge D D Superior commutation ruggedness D D Qualified for industrial applications accor

 7.1. Size:507K  infineon
 igld60r070d1.pdf pdf_icon

IGLD60R190D1

IGLD60R070D1 IGLD60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction S S Low gate charge, low output charge D D Superior commutation ruggedness D D Qualified for industrial applications accor

Другие MOSFET... IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , EMB04N03H , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S , IPAN65R650CE .

History: CPH3459 | BTS140A | DN3135 | IGT60R070D1 | MEE4294K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.