IGO60R070D1 Todos los transistores

 

IGO60R070D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGO60R070D1
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSO-20-85

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Principales características: IGO60R070D1

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IGO60R070D1

IGO60R070D1 IGO60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 1 No reverse-recovery charge 20 20 10 Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 11 1 Superior commutation ruggedness 11 Qualified for industrial applications a

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History: IRF644NSPBF

 

 
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