Справочник MOSFET. IGO60R070D1

 

IGO60R070D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGO60R070D1
   Маркировка: 60R070D1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DSO-20-85
 

 Аналог (замена) для IGO60R070D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGO60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  infineon
 igo60r070d1.pdf pdf_icon

IGO60R070D1

IGO60R070D1IGO60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 1 No reverse-recovery charge 20 20 10 Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 11 1 Superior commutation ruggedness 11 Qualified for industrial applications a

Другие MOSFET... IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , MMD60R360PRH , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S , IPAN65R650CE , IPB015N04N6 .

 

 
Back to Top

 


 
.