IGOT60R070D1 Todos los transistores

 

IGOT60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGOT60R070D1
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSO-20-87
     - Selección de transistores por parámetros

 

IGOT60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  infineon
 igot60r070d1.pdf pdf_icon

IGOT60R070D1

IGOT60R070D1IGOT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 20 No reverse-recovery charge 1 11 Capable of reverse conduction 1 Low gate charge, low output charge 1020 Superior commutation ruggedness 10 11 Qualified for industrial applic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: R6002END | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | P1203EV

 

 
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