IGOT60R070D1 Todos los transistores

 

IGOT60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IGOT60R070D1

Código: 60R070D1

Tipo de FET: GaN

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.6 V

Carga de compuerta (Qg): 5.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: DSO-20-87

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IGOT60R070D1 Datasheet (PDF)

0.1. igot60r070d1.pdf Size:531K _infineon

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IGOT60R070D1IGOT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 20 No reverse-recovery charge 1 11 Capable of reverse conduction 1 Low gate charge, low output charge 1020 Superior commutation ruggedness 10 11 Qualified for industrial applic

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