IGOT60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGOT60R070D1
Código: 60R070D1
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.6 V
Carga de compuerta (Qg): 5.8 nC
Tiempo de elevación (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Empaquetado / Estuche: DSO-20-87
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IGOT60R070D1 Datasheet (PDF)
0.1. igot60r070d1.pdf 
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IGOT60R070D1IGOT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 20 No reverse-recovery charge 1 11 Capable of reverse conduction 1 Low gate charge, low output charge 1020 Superior commutation ruggedness 10 11 Qualified for industrial applic
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