IGOT60R070D1 - описание и поиск аналогов

 

IGOT60R070D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IGOT60R070D1

Тип транзистора: GaN

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: DSO-20-87

Аналог (замена) для IGOT60R070D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGOT60R070D1 даташит

 ..1. Size:531K  infineon
 igot60r070d1.pdf pdf_icon

IGOT60R070D1

IGOT60R070D1 IGOT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 20 No reverse-recovery charge 1 11 Capable of reverse conduction 1 Low gate charge, low output charge 10 20 Superior commutation ruggedness 10 11 Qualified for industrial applic

Другие MOSFET... IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , MMIS60R580P , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S , IPAN65R650CE , IPB015N04N6 , IPB08CN10NG .

History: CPH3459 | BTS140A | IGT60R070D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.