Справочник MOSFET. IGOT60R070D1

 

IGOT60R070D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGOT60R070D1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DSO-20-87
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IGOT60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  infineon
 igot60r070d1.pdf pdf_icon

IGOT60R070D1

IGOT60R070D1IGOT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching 20 No reverse-recovery charge 1 11 Capable of reverse conduction 1 Low gate charge, low output charge 1020 Superior commutation ruggedness 10 11 Qualified for industrial applic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STW12N60 | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.