IGT60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGT60R070D1
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOF-8-3
Búsqueda de reemplazo de IGT60R070D1 MOSFET
IGT60R070D1 Datasheet (PDF)
igt60r070d1.pdf

IGT60R070D1IGT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 Superior commutation ruggedness 1 Qualified for industrial applications according to JE
igt60r190d1s.pdf

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching G No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 1 Superior commutation ruggedness 1 1 Qualified for standard grade application
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History: NCEP40P65GU | NTF6P02T3G | STV6NA60 | HAT1097R | NTB60N06G | RCX511N25 | 2SK821
History: NCEP40P65GU | NTF6P02T3G | STV6NA60 | HAT1097R | NTB60N06G | RCX511N25 | 2SK821



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
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