IGT60R070D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGT60R070D1
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOF-8-3
Búsqueda de reemplazo de IGT60R070D1 MOSFET
IGT60R070D1 Datasheet (PDF)
igt60r070d1.pdf

IGT60R070D1IGT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 Superior commutation ruggedness 1 Qualified for industrial applications according to JE
igt60r190d1s.pdf

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching G No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 1 Superior commutation ruggedness 1 1 Qualified for standard grade application
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History: NCE65T180F | FDD6680S | NP48N055DHE | IXFN44N80P | 2N65G-TMA-T | STT4PF20V | HAF1003L
History: NCE65T180F | FDD6680S | NP48N055DHE | IXFN44N80P | 2N65G-TMA-T | STT4PF20V | HAF1003L



Liste
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MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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