Справочник MOSFET. IGT60R070D1

 

IGT60R070D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IGT60R070D1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-3
 

 Аналог (замена) для IGT60R070D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IGT60R070D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  infineon
 igt60r070d1.pdf pdf_icon

IGT60R070D1

IGT60R070D1IGT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 Superior commutation ruggedness 1 Qualified for industrial applications according to JE

 8.1. Size:544K  infineon
 igt60r190d1s.pdf pdf_icon

IGT60R070D1

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching G No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 1 Superior commutation ruggedness 1 1 Qualified for standard grade application

Другие MOSFET... IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , HY1906P , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S , IPAN60R180P7S , IPAN65R650CE , IPB015N04N6 , IPB08CN10NG , IPB100N12S3-05 .

History: SM9926 | PSMN011-100YSF | 12N70KG-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.