IGT60R190D1S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IGT60R190D1S
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IGT60R190D1S

IGT60R190D1S Datasheet (PDF)

..1. Size:544K infineon
igt60r190d1s.pdf

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching G No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 1 Superior commutation ruggedness 1 1 Qualified for standard grade application

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igt60r070d1.pdf

IGT60R070D1IGT60R070D1 600V CoolGaN enhancement-mode Power Transistor Features Enhancement mode transistor Normally OFF switch Ultra fast switching No reverse-recovery charge G SK Capable of reverse conduction Low gate charge, low output charge 1 Superior commutation ruggedness 1 Qualified for industrial applications according to JE

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Liste

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